W949D2DBJX5E

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Parte del fabricante

W949D2DBJX5E

Fabricante
Winbond Electronics Corporation
Descripción
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
44
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Volatile
  • formato de memoria:DRAM
  • tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR
  • tamaño de la memoria:512Mb (16M x 32)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:200 MHz
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:15ns
  • tiempo de acceso:5 ns
  • suministro de voltaje:1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura de funcionamiento:-25°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:90-TFBGA
  • paquete de dispositivos del proveedor:90-VFBGA (8x13)
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