70T651S10BC8

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Parte del fabricante

70T651S10BC8

Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
70T651S10BC8 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Volatile
  • formato de memoria:SRAM
  • tecnología:SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • tamaño de la memoria:9Mb (256K x 36)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:-
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:10ns
  • tiempo de acceso:10 ns
  • suministro de voltaje:2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:256-LBGA
  • paquete de dispositivos del proveedor:256-CABGA (17x17)
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