RJK1001DPP-A0#T2

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Parte del fabricante

RJK1001DPP-A0#T2

Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:80A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:5.5mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:147 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:10000 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):30W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220FPA
  • paquete / caja:TO-220-3 Full Pack
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