APTM100SK40T1G

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Parte del fabricante

APTM100SK40T1G

Fabricante
Microsemi
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
APTM100SK40T1G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1000 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:480mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 2.5mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:260 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±30V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:6800 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):357W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SP1
  • paquete / caja:SP1
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