IRFS9N60A

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Parte del fabricante

IRFS9N60A

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
5000
Hojas de datos en línea
IRFS9N60A PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:9.2A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:750mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:49 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±30V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1400 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):170W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:D2PAK
  • paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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