IRF7233TRPBF

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Parte del fabricante

IRF7233TRPBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
100000
Hojas de datos en línea
IRF7233TRPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):12 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:9.5A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):2.5V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:20mOhm @ 9.5A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:600mV @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:74 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±12V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:6000 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.5W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SO
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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