BUZ31L

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Parte del fabricante

BUZ31L

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
100000
Hojas de datos en línea
BUZ31L PDF
Consulta
  • serie:SIPMOS®
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):200 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:13.5A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:200mOhm @ 7A, 5V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1600 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):95W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO220-3
  • paquete / caja:TO-220-3
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