IRF7410GTRPBF

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Parte del fabricante

IRF7410GTRPBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
404000
Hojas de datos en línea
IRF7410GTRPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):12 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:16A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):1.8V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:7mOhm @ 16A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:900mV @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:91 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:8676 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.5W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SO
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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