FDD107AN06LA0

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Parte del fabricante

FDD107AN06LA0

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.9A TO252
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
FDD107AN06LA0 PDF
Consulta
  • serie:PowerTrench®
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:91mOhm @ 10.9A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:5.5 nC @ 5 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:360 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):25W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-252AA
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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