IRF7665S2TR1PBF

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Parte del fabricante

IRF7665S2TR1PBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
17144
Hojas de datos en línea
IRF7665S2TR1PBF PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:62mOhm @ 8.9A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 25µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:13 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:515 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.4W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:DIRECTFET SB
  • paquete / caja:DirectFET™ Isometric SB
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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