VS-FB180SA10P

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Parte del fabricante

VS-FB180SA10P

Fabricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descripción
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
30000
Hojas de datos en línea
VS-FB180SA10P PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:180A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:6.5mOhm @ 180A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:380 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:10700 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):480W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-227
  • paquete / caja:SOT-227-4, miniBLOC
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