FDR838P

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Parte del fabricante

FDR838P

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
150000
Hojas de datos en línea
FDR838P PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:8A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):2.5V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:17mOhm @ 8A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:45 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3300 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):1.8W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SuperSOT™-8
  • paquete / caja:8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
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