BSS169 E6327

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Parte del fabricante

BSS169 E6327

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
3600000
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:SIPMOS®
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:170mA (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):0V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:6Ohm @ 170mA, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.8V @ 50µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:2.8 nC @ 7 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:68 pF @ 25 V
  • característica fet:Depletion Mode
  • disipación de potencia (máx.):360mW (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-23-3
  • paquete / caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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