Name: GT10J312(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT10J312(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: GT10J312(Q)

Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descripción: IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - igbts - simple

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: GT10J312(Q) PDF

GT10J312(Q) darse cuenta

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serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Obsolete
tipo igbt:-
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):600 V
corriente - colector (ic) (max):10 A
corriente - colector pulsado (icm):20 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
potencia - máx.:60 W
energía de conmutación:-

tipo de entrada:Standard
carga de la puerta:-
td (encendido/apagado) @ 25°c:400ns/400ns
condición de prueba:300V, 10A, 100Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):200 ns
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquete de dispositivos del proveedor:TO-220SM

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