APTMC120AM55CT1AG

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Parte del fabricante

APTMC120AM55CT1AG

Fabricante
Roving Networks / Microchip Technology
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
APTMC120AM55CT1AG PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Half Bridge)
  • característica fet:Silicon Carbide (SiC)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1200V (1.2kV)
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:55A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:49mOhm @ 40A, 20V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.2V @ 2mA (Typ)
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:98nC @ 20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1900pF @ 1000V
  • potencia - máx.:250W
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:SP1
  • paquete de dispositivos del proveedor:SP1
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