FJV3108RMTF

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Parte del fabricante

FJV3108RMTF

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
FJV3108RMTF PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
  • corriente - colector (ic) (max):100 mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50 V
  • resistencia - base (r1):47 kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):22 kOhms
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:56 @ 5mA, 5V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • corriente - corte del colector (máx.):100nA (ICBO)
  • frecuencia - transición:250 MHz
  • potencia - máx.:200 mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-23-3 (TO-236)
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