PDTD123TK,115

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Parte del fabricante

PDTD123TK,115

Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
PDTD123TK,115 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
  • corriente - colector (ic) (max):500 mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50 V
  • resistencia - base (r1):2.2 kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):-
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 50mA, 5V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
  • corriente - corte del colector (máx.):500nA
  • frecuencia - transición:-
  • potencia - máx.:250 mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • paquete de dispositivos del proveedor:SMT3; MPAK
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