MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

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Parte del fabricante

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

Fabricante
Micron Technology
Descripción
IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Non-Volatile
  • formato de memoria:FLASH
  • tecnología:FLASH - NAND
  • tamaño de la memoria:3Tb (384G x 8)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:333 MHz
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
  • tiempo de acceso:-
  • suministro de voltaje:2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje:-
  • paquete / caja:-
  • paquete de dispositivos del proveedor:-
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