Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: XPH2R106NC,L1XHQ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: XPH2R106NC,L1XHQ

Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descripción: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 9832

Hojas de datos en línea: -

XPH2R106NC,L1XHQ darse cuenta

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serie:Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:110A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):-
rds en (máx.) @ id, vgs:2.1mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 1mA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:104 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:6900 pF @ 10 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:8-SOP Advance (5x5)
paquete / caja:8-PowerVDFN

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