TSM10N80CZ C0G

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Parte del fabricante

TSM10N80CZ C0G

Fabricante
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
735
Hojas de datos en línea
TSM10N80CZ C0G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):800 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:9.5A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:1.05Ohm @ 4.75A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:53 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±30V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2336 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):290W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220
  • paquete / caja:TO-220-3
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