FDC5661N-F085

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Parte del fabricante

FDC5661N-F085

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
31500
Hojas de datos en línea
FDC5661N-F085 PDF
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:4.3A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:47mOhm @ 4.3A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:19 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:763 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):1.6W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SuperSOT™-6
  • paquete / caja:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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