Name: BSS119NH6327XTSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSS119NH6327XTSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: BSS119NH6327XTSA1

Fabricante: IR (Infineon Technologies)

Descripción: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 29581

Hojas de datos en línea: BSS119NH6327XTSA1 PDF

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serie:OptiMOS™
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:190mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.3V @ 13µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:0.6 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:20.9 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:SOT-23-3
paquete / caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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