FQI50N06TU

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Parte del fabricante

FQI50N06TU

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
1792
Hojas de datos en línea
FQI50N06TU PDF
Consulta
  • serie:QFET®
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:22mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:41 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±25V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1.54 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):3.75W (Ta), 120W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:I2PAK (TO-262)
  • paquete / caja:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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