Name: IPB039N10N3GE8187ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB039N10N3GE8187ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: IPB039N10N3GE8187ATMA1

Fabricante: IR (Infineon Technologies)

Descripción: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: IPB039N10N3GE8187ATMA1 PDF

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serie:OptiMOS™
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:160A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:3.5V @ 160µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:117 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:8410 pF @ 50 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO263-7
paquete / caja:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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