SSM3K59CTB,L3F

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Parte del fabricante

SSM3K59CTB,L3F

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
5462
Hojas de datos en línea
SSM3K59CTB,L3F PDF
Consulta
  • serie:U-MOSVII-H
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):40 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:2A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):1.8V, 8V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:215mOhm @ 1A, 8V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.2V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:1.1 nC @ 4.2 V
  • vgs (máx.):±12V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:130 pF @ 10 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):1W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:CST3B
  • paquete / caja:3-SMD, No Lead
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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