IRLR3110ZTRRPBF

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Parte del fabricante

IRLR3110ZTRRPBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
IRLR3110ZTRRPBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Not For New Designs
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:42A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:14mOhm @ 38A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 100µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:48 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±16V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3980 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):140W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:D-Pak
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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