UF3C120150K4S

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Parte del fabricante

UF3C120150K4S

Fabricante
UnitedSiC
Descripción
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
460
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1200 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:18.4A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):12V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:180mOhm @ 5A, 12V
  • vgs(th) (máx) @ id:5.5V @ 10mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:25.7 nC @ 12 V
  • vgs (máx.):±25V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:738 pF @ 100 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):166.7W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-247-4
  • paquete / caja:TO-247-4
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