Name: TP65H070LSG
Brand: Transphorm
SKU: TP65H070LSG
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: TP65H070LSG

Fabricante: Transphorm

Descripción: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: -

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serie:TP65H070L
paquete:Tube
estado de la pieza:Discontinued at Digi-Key
tipo de feto:N-Channel
tecnología:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:25A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4.8V @ 700µA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:9.3 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:600 pF @ 400 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:3-PQFN (8x8)
paquete / caja:3-PowerDFN

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