NVMFS5A160PLZT1G

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Parte del fabricante

NVMFS5A160PLZT1G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
39000
Hojas de datos en línea
NVMFS5A160PLZT1G PDF
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:15A (Ta), 100A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:7.7mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.6V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:160 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:7700 pF @ 20 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • paquete / caja:8-PowerTDFN, 5 Leads
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