SI2301BDS-T1-E3

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Parte del fabricante

SI2301BDS-T1-E3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
33000
Hojas de datos en línea
SI2301BDS-T1-E3 PDF
Consulta
  • serie:TrenchFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:P-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:2.2A (Ta)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):2.5V, 4.5V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:100mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:950mV @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:10 nC @ 4.5 V
  • vgs (máx.):±8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:375 pF @ 6 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):700mW (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-23-3 (TO-236)
  • paquete / caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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