STP18N55M5

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Parte del fabricante

STP18N55M5

Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
806
Hojas de datos en línea
STP18N55M5 PDF
Consulta
  • serie:MDmesh™ V
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):550 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:16A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:192mOhm @ 8A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:31 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±25V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1260 pF @ 100 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):110W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-220AB
  • paquete / caja:TO-220-3
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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