TPH6R30ANL,L1Q

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Parte del fabricante

TPH6R30ANL,L1Q

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
50000
Hojas de datos en línea
TPH6R30ANL,L1Q PDF
Consulta
  • serie:U-MOSVIII-H
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:66A (Ta), 45A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:6.3mOhm @ 22.5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 500µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:55 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:4300 pF @ 50 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):2.5W (Ta), 54W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:150°C
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SOP Advance (5x5)
  • paquete / caja:8-PowerVDFN
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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