SSM6N61NU,LF

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Parte del fabricante

SSM6N61NU,LF

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
SSM6N61NU,LF PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:4A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:33mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:3.6nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:410pF @ 10V
  • potencia - máx.:2W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:6-WDFN Exposed Pad
  • paquete de dispositivos del proveedor:6-UDFNB (2x2)
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