2SJ662-DL-E

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Parte del fabricante

2SJ662-DL-E

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
P-CHANNEL SILICON MOSFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
792
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:*
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:-
  • característica fet:-
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):-
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:-
  • rds en (máx.) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (máx) @ id:-
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:-
  • potencia - máx.:-
  • Temperatura de funcionamiento:-
  • Tipo de montaje:-
  • paquete / caja:-
  • paquete de dispositivos del proveedor:-
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