SI5517DU-T1-GE3

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Parte del fabricante

SI5517DU-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
123
Hojas de datos en línea
SI5517DU-T1-GE3 PDF
Consulta
  • serie:TrenchFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N and P-Channel
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:6A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:39mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:16nC @ 8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:520pF @ 10V
  • potencia - máx.:8.3W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • paquete de dispositivos del proveedor:PowerPAK® ChipFet Dual
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