SIZ200DT-T1-GE3

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Parte del fabricante

SIZ200DT-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET N-CH DUAL 30V
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
765
Hojas de datos en línea
SIZ200DT-T1-GE3 PDF
Consulta
  • serie:TrenchFET® Gen IV
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:28nC @ 10V, 30nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
  • potencia - máx.:4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerWDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-PowerPair® (3.3x3.3)
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