NVMFD5873NLT1G

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Parte del fabricante

NVMFD5873NLT1G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
3000000
Hojas de datos en línea
NVMFD5873NLT1G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Not For New Designs
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:10A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:13mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:30.5nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1560pF @ 25V
  • potencia - máx.:3.1W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerTDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados ​​por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, modificación del producto, operación negligente o incorrecta.

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