FF6MR12KM1PHOSA1

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Parte del fabricante

FF6MR12KM1PHOSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MEDIUM POWER 62MM
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:CoolSiC™
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Half Bridge)
  • característica fet:Silicon Carbide (SiC)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1200V (1.2kV)
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:250A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:5.81mOhm @ 250A, 15V
  • vgs(th) (máx) @ id:5.15V @ 80mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:496nC @ 15V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:14700pF @ 800V
  • potencia - máx.:-
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:AG-62MM
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