BSM180D12P2C101

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Parte del fabricante

BSM180D12P2C101

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
9
Hojas de datos en línea
BSM180D12P2C101 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Half Bridge)
  • característica fet:Silicon Carbide (SiC)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1200V (1.2kV)
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:204A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 35.2mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:23000pF @ 10V
  • potencia - máx.:1130W
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:-
  • paquete / caja:Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:Module
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