QS8M12TCR

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Parte del fabricante

QS8M12TCR

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
QS8M12TCR PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Not For New Designs
  • tipo de feto:N and P-Channel
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:4A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:42mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:3.4nC @ 5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:250pF @ 10V
  • potencia - máx.:1.5W
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-SMD, Flat Lead
  • paquete de dispositivos del proveedor:TSMT8
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