AUIRF7341QTR

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Parte del fabricante

AUIRF7341QTR

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
2039000
Hojas de datos en línea
AUIRF7341QTR PDF
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):55V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:5.1A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:50mOhm @ 5.1A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:44nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:780pF @ 25V
  • potencia - máx.:2.4W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SO
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