SI1026X-T1-GE3

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Parte del fabricante

SI1026X-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
6000
Hojas de datos en línea
SI1026X-T1-GE3 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:305mA
  • rds en (máx.) @ id, vgs:1.4Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:0.6nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:30pF @ 25V
  • potencia - máx.:250mW
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SOT-563, SOT-666
  • paquete de dispositivos del proveedor:SC-89-6
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