SSM6N16FUTE85LF

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Parte del fabricante

SSM6N16FUTE85LF

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
5360
Hojas de datos en línea
SSM6N16FUTE85LF PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:100mA
  • rds en (máx.) @ id, vgs:3Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.1V @ 100µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:9.3pF @ 3V
  • potencia - máx.:200mW
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • paquete de dispositivos del proveedor:US6
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