TT8J11TCR

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Parte del fabricante

TT8J11TCR

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
2380
Hojas de datos en línea
TT8J11TCR PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Not For New Designs
  • tipo de feto:2 P-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):12V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:3.5A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:43mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:22nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2600pF @ 6V
  • potencia - máx.:650mW
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-SMD, Flat Lead
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-TSST
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