ALD114913PAL

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Parte del fabricante

ALD114913PAL

Fabricante
Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
ALD114913PAL PDF
Consulta
  • serie:EPAD®
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • característica fet:Depletion Mode
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):10.6V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:12mA, 3mA
  • rds en (máx.) @ id, vgs:500Ohm @ 2.7V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.26V @ 1µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2.5pF @ 5V
  • potencia - máx.:500mW
  • Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-PDIP
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