SQJ262EP-T1_GE3

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Parte del fabricante

SQJ262EP-T1_GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
5990
Hojas de datos en línea
SQJ262EP-T1_GE3 PDF
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:15A (Tc), 40A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:10nC @ 10V, 23nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
  • potencia - máx.:27W (Tc), 48W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:PowerPAK® SO-8 Dual
  • paquete de dispositivos del proveedor:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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