Name: FS75R12W2T4BOMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: FS75R12W2T4BOMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: FS75R12W2T4BOMA1

Fabricante: IR (Infineon Technologies)

Descripción: IGBT MOD 1200V 107A 375W

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - igbts - módulos

Serie: -

En stock: 12

Hojas de datos en línea: FS75R12W2T4BOMA1 PDF

FS75R12W2T4BOMA1 darse cuenta

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serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
configuración:Full Bridge
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):1200 V
corriente - colector (ic) (max):107 A
potencia - máx.:375 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 75A

corriente - corte del colector (máx.):1 mA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:4.3 nF @ 25 V
aporte:Standard
termistor ntc:Yes
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Chassis Mount
paquete / caja:Module
paquete de dispositivos del proveedor:Module

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