FPF2C110BI07AS2

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Parte del fabricante

FPF2C110BI07AS2

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - módulos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
FPF2C110BI07AS2 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:-
  • configuración:Half Bridge
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):650 V
  • corriente - colector (ic) (max):40 A
  • potencia - máx.:300 W
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 40A
  • corriente - corte del colector (máx.):250 µA
  • capacitancia de entrada (cies) @ vce:-
  • aporte:Standard
  • termistor ntc:Yes
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:30-DIP Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:F2
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