Name: PHD66NQ03LT,118
Brand: NXP Semiconductors
SKU: PHD66NQ03LT,118
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: PHD66NQ03LT,118

Fabricante: NXP Semiconductors

Descripción: MOSFET N-CH 25V 66A DPAK

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - fets, mosfets - simples

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: PHD66NQ03LT,118 PDF

PHD66NQ03LT,118 darse cuenta

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serie:TrenchMOS™
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Obsolete
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):25 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:66A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:10.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2V @ 1mA

carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:12 nC @ 5 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:860 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):93W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:DPAK
paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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NTPF360N80S3Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 13A TO220FP	En stock: 1.000	$2.29000
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SSM3J375F,LF Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI	En stock: 5.791	$0.43000
STWA45N60DM2AG STMicroelectronics	PTD HIGH VOLTAGE	En stock: 0	$4.53950
SIR846ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8	En stock: 1.385	$2.37000
SIR166DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8	En stock: 144	$1.43000
TK40E10K3,S1X(S Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3	En stock: 0	$1.69400