PHD18NQ10T,118

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Parte del fabricante

PHD18NQ10T,118

Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - simples
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
PHD18NQ10T,118 PDF
Consulta
  • serie:TrenchMOS™
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:N-Channel
  • tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100 V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
  • tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
  • rds en (máx.) @ id, vgs:90mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 1mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:21 nC @ 10 V
  • vgs (máx.):±20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:633 pF @ 25 V
  • característica fet:-
  • disipación de potencia (máx.):79W (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete de dispositivos del proveedor:DPAK
  • paquete / caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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